型号 |
SPB04N50C3 |
厂商 |
Infineon Technologies |
描述 |
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263 |
SPB04N50C3 PDF |
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代理商 |
SPB04N50C3
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产品培训模块 |
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
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产品目录绘图 |
Mosfets TO-263
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标准包装 |
1 |
系列 |
CoolMOS™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
标准
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漏极至源极电压(Vdss) |
560V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
4.5A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
950 毫欧 @ 2.8A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
3.9V @ 200µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
22nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
470pF @ 25V
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功率 - 最大 |
50W
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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供应商设备封装 |
PG-TO263-3
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包装 |
剪切带 (CT)
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其它名称 |
SPB04N50C3INCT
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